2SA950-O

更新时间： 2024-11-05 13:04:11

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
1页	67K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA950-O 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	2-5F1B, SC-43, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.44	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SA950-O 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors

2SA950

TRANSISTOR (PNP)

TO-92

FEATURE

Power dissipation

1. EMITTER

P_CM: 0.6 W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM

Collector-base voltage

2. COLLECTOR

3. BASE

-0.8

1 2 3

V_(BR)CBO: -35 V

Operating and storage junction temperature range

T_j, T_stg:

-55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= -1mA , I_E=0

MIN

-35

-30

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -10 mA , I_B=0

I_E= -1Ma, I_C=0

V_CB= -35V, I_E=0

-0.1

320

µA

I_EBO

V_EB= -5V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE(1)

V_CE=-1V, I_C=-100mA

V_CE=-1V, I_C= -700mA

I_C= -500mA, I_B= -20mA

100

DC current gain

h_FE(2)

V_CE(sat)

-0.7

Collector-emitter saturation voltage

Collector Output Capacitance

Transition frequency

VCB=-10V, IE=0

f=1MHZ

Cob

f _T

V_CE=-5V, I_C=-10mA,

120

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

100-200

160-320

Range

中文翻译

下载PDF

与2SA950-O相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA950-O-AP-HF	MCC	获取价格	Transistor,
2SA950Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-92
2SA950-Y	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
2SA950-Y(TPE2)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
2SA950-Y-AP-HF	MCC	获取价格	Transistor,
2SA950-Y-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SA952	NEC	获取价格	PNP SILICON TRANSISTOR
2SA952	SWST	获取价格	小信号晶体管
2SA952	FOSHAN	获取价格	TO-92
2SA952-A	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,