2SA950-O

更新时间： 2024-01-11 10:24:55

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东芝 - TOSHIBA		晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
1页	67K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SA950-O 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA950-O 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors

2SA950

TRANSISTOR (PNP)

TO-92

FEATURE

Power dissipation

1. EMITTER

P_CM: 0.6 W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM

Collector-base voltage

2. COLLECTOR

3. BASE

-0.8

1 2 3

V_(BR)CBO: -35 V

Operating and storage junction temperature range

T_j, T_stg:

-55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= -1mA , I_E=0

MIN

-35

-30

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -10 mA , I_B=0

I_E= -1Ma, I_C=0

V_CB= -35V, I_E=0

-0.1

320

µA

I_EBO

V_EB= -5V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE(1)

V_CE=-1V, I_C=-100mA

V_CE=-1V, I_C= -700mA

I_C= -500mA, I_B= -20mA

100

DC current gain

h_FE(2)

V_CE(sat)

-0.7

Collector-emitter saturation voltage

Collector Output Capacitance

Transition frequency

VCB=-10V, IE=0

f=1MHZ

Cob

f _T

V_CE=-5V, I_C=-10mA,

120

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

100-200

160-320

Range

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA950Y	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-92	获取价格
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