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2SA1979UF

更新时间： 2024-01-05 08:02:39

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韩国光电子 - AUK		晶体放大器晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
4页	222K
描述
PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)

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2SA1979UF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SA1979UF 数据手册

2SA1979UF

Absolute maximum ratings

Characteristic

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

(Ta=25°C)

Unit

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-40

-32

-5

-500

200

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

(Ta=25°C)

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

I_C=-100µA, I_E=0

-40

-32

-5

I_C=-1mA, I_B=0

I_E=-10µA, I_C=0

V_CB=-40V, I_E=0

-0.1

240

-0.25

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=-5V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=-1V, I_C=-100mA

I_C=-100mA, I_B=-10mA

V_CE=-6V, I_C=-20mA

V_CB=-6V, I_E=0, f=1MHz

Collector-Emitter saturation voltage

Transistor frequency

V_CE(sat)

f_T

200

7.5

MHz

Collector output capacitance

C_ob

: h_FErank / O : 70~140, Y : 120~240

KST-3030-002

123 4

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