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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1980-BP
2SA1980-BP PDF预览

2SA1980-BP

更新时间： 2024-02-11 17:20:27
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 207K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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2SA1980-BP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

2SA1980-BP 数据手册

 浏览型号2SA1980-BP的Datasheet PDF文件第2页 
2SA1980-O  
2SA1980-Y  
2SA1980-G  
2SA1980-L  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
ꢀꢁ Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)=0.3V(Max.)  
ꢀꢁ Low Output Capacitance: Cob=4.0pF(Typ.)  
ꢀꢁ Complementary Pair With 2SC5343  
ꢀꢁ Marking : A1980  
PNP Silicon  
Transistors  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings  
TO-92  
Symbol  
Rating  
Rating  
50  
Unit  
V
A
E
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
50  
V
5.0  
V
B
150  
mA  
mW  
OC  
OC  
PC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
TJ  
150  
TSTG  
-55 to +150  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
C
Typ  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IB=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=50Vdc,IE=0)  
50  
50  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
---  
Vdc  
D
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
---  
ON CHARACTERISTICS  
E
C
B
hFE  
VCE(sat)  
fT  
Forward Current Transfer ratio*  
70  
---  
80  
---  
---  
---  
700  
0.3  
---  
---  
Vdc  
MHz  
pF  
G
(IC=2.0Adc, VCE=6.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)  
Transition Frequency  
DIMENSIONS  
---  
(VCE=10Vdc, IC=1.0mAdc)  
Collector Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
Noise Figure  
INCHES  
MIN  
MM  
Cob  
4.0  
7.0  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
NF  
(VCE=6.0Vdc, IC=0.1mAdc,  
f=1.0KHz, Rg=10KĀ)  
---  
---  
10  
dB  
E
G
* hFE rank / O: 70-140, Y:120-240, G:200-400, L:300-700  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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