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2SA1980M-O

更新时间： 2024-01-29 10:20:35

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4页	178K
描述
SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2SA1980M-O 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz

2SA1980M-O 数据手册

2SA1980M

PNP Silicon Transistor

PIN Connection

Description

• General small signal amplifier

Features

• Low collector saturation voltage :

V_CE(sat)=-0.3V(Max.)

• Low output capacitance : C_ob=4pF(Typ.)

• Complementary pair with 2SC5343M

TO-92M

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

2SA1980M

1980

TO-92M

Absolute maximum ratings

Characteristic

Ta=25°C

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-50

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

-50

-5

-150

400

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

Ta=25°C

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=-100μA, I_E=0

I_C=-1mA, I_B=0

-50

-5

I_E=-10μA, I_C=0

V_CB=-50V, I_E=0

-0.1

700

-0.3

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=-5V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=-6V, I_C=-2mA

I_C=-100mA, I_B=-10mA

V_CE=-10V, I_C=-1mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

Collector-Emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CE=-6V, I_C=-0.1mA

f=1KHz, Rg=10KΩ

Noise figure

*: h_FErank / O : 70~140, Y : 120~240, G : 200~400, L : 300~700

KSD-R0B047-000

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1980N	AUK	PNP Silicon Transistor	获取价格
2SA1980NG	KODENSHI	Transistor,	获取价格
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2SA1980NO	KODENSHI	Transistor,	获取价格
2SA1980NY	KODENSHI	暂无描述	获取价格
2SA1980O	KODENSHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), PNP,	获取价格