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2SA1963-1

更新时间： 2024-02-10 17:53:16

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安森美 - ONSEMI		/
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5页	54K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,8V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236AB

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2SA1963-1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1.3 pF
集电极-发射极最大电压：	8 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz

2SA1963-1 数据手册

2SA1963

S11e : f=100MHz, 200 to 2000MHz(200MHz step)

S21e : f=100MHz, 200 to 2000MHz(200MHz step)

j50

120

j25

j100

j150

j200

j250

150

j10

100

250

150

±180

2.0GHz

--j250

--j200

--j10

0.1GHz

--30

--150

--j150

--j100

--j25

--60

--120

--j50

--90

ITR05031

ITR05032

S12e : f=100MHz, 200 to 2000MHz(200MHz step)

S22e : f=100MHz, 200 to 2000MHz(200MHz step)

=5V

I =5mA

2.0GHz

j50

120

j25

j100

j150

150

j200

j250

j10

100

150

=5V

I =10mA

250

0.04 0.08 0.12 0.16

^0.20

±180

--j250

--j200

--j10

--30

--150

--j150

--j100

--j25

--60

--120

--j50

--90

ITR05033

ITR05034

No.5230–3/5

1 234 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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