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2SA1962RTU

更新时间： 2024-02-12 06:32:10

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	560K
描述
PNP外延硅晶体管

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2SA1962RTU 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.77
最大集电极电流 (IC)：	17 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	55
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	130 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz

2SA1962RTU 数据手册

Typical Characteristics

-100

-10

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

I_CMAX. (Pulsed*)

I_CMAX. (DC)

10ms*

100ms*

-1

-0.1

-0.01

*SINGLE NONREPETITIVE

PULSE T_C=25[^oC]

100

1E-6

1E-5

1E-4

1E-3

0.01

0.1

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

Pulse duration [sec]

Figure 7. Thermal Resistance

Figure 8. Safe Operating Area

160

140

120

100

125

150

175

T_C[^oC], CASE TEMPERATURE

Figure 9. Power Derating

2SA1962/FJA4213 Rev. C

www.fairchildsemi.com

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与2SA1962RTU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1963	SANYO	High-Frequency Low-Noise Amp, Ultrahigh-Speed Switching Applications	获取价格
2SA1963-1	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,PNP,8V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236AB	获取价格
2SA1963-2	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,PNP,8V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236AB	获取价格
2SA1963-3	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,PNP,8V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236AB	获取价格
2SA1964	NJSEMI	Silicon PNP Power Transistor	获取价格
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