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2SA1962RTU

更新时间： 2024-01-26 10:04:50

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安森美 - ONSEMI		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	560K
描述
PNP外延硅晶体管

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2SA1962RTU 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.77
最大集电极电流 (IC)：	17 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	55
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	130 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz

2SA1962RTU 数据手册

Typical Characteristics

-20

I_B= -900mA

I_B= -800mA

I_B= -1A

V_CE= -5V

Tj = 125^oC

-18

-16

-14

-12

-10

-8

I_B= -700mA

Tj = 25^oC

100

I_B= -300mA

Tj = -25^oC

I_B= -200mA

I_B= -100mA

-6

-4

-2

-0

-2

-4

-6

-8

-10

0.1

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

Figure 1. Static Characteristic

Figure 2. DC current Gain ( R Grade )

10000

1000

100

Tj = 125^oC

Ic=-10Ib

Tj = 25^oC

V_CE= -5V

100

Tj = -25^oC

Tj=25^oC

Tj=125^oC

Tj=-25^oC

0.1

I_C[A], COLLECTOR CURRENT

Ic[A], COLLECTORCURRENT

Figure 3. DC current Gain ( O Grade )

Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage

10000

1000

100

Ic=-10Ib

V_CE= 5V

Tj=-25^oC

Tj=25^oC

Tj=125^oC

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

0.1

V_BE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

Ic[A], COLLECTORCURRENT

Figure 5. Base-Emitter Saturation Voltage

Figure 6. Base-Emitter On Voltage

2SA1962/FJA4213 Rev. C

www.fairchildsemi.com

1 2 345 6 7 8

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与2SA1962RTU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA1963-1	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,PNP,8V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236AB	获取价格
2SA1963-2	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,PNP,8V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236AB	获取价格
2SA1963-3	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,PNP,8V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-236AB	获取价格
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