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2SA1697D

更新时间: 2024-01-06 09:00:56
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页数 文件大小 规格书
4页 120K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-186

2SA1697D 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220ML
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.84
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:200 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):160
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
Base Number Matches:1

2SA1697D 数据手册

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