2SA1700

更新时间： 2024-01-13 00:01:21

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HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION

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2SA1700 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.45	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz

2SA1700 数据手册

UTC2SA1700

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE DRIVER

APPLICATION

FEATURES

*High breakdown voltage.

*Excellent hFE linearity.

TO-252

1: BASE 2:COLLECTOR 3:EMITTER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ^{( Ta=25°C)}

PARAMETER

Collector-Base Voltage

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

-400

-5

-200

-400

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Current (PULSE)

Collector Power Dissipation

Icp

10( Tc=25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

150

-55 ~ +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ^{(Ta=25°C, unless otherwise specified)}

PARAMETER

SYMBOL

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

TEST CONDITIONS

IC= -10µA,IE=0

MIN TYP MAX UNIT

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

-400

-5

µA

IC= -1mA, IB=0, RBE=∞

IE= -10µA,IC=0

VCB= -300V,IE=0

-0.1

200

-0.8

-1.0

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB= -4V,IC=0

DC Current Transfer Ratio

hFE

VCE= -10V, Ic= -50mA

IC= -50mA,IB= -5mA

VCB= -30V,f=1MHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Output Capacitance

VCE(sat)

VBE(sat)

Cob

Reverse Transfer Capacitance

Cre

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R209-009,A

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