2SA1646-Z-AZ

更新时间： 2024-11-11 13:01:31

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
6页	140K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

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2SA1646-Z-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.32
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1646-Z-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SA1646, 2SA1646-Z

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SA1646 is a mold power transistor developed for high-

speed switching and features a very low collector-to-emitter

saturation voltage. This transistor is ideal for use in switching

power supplies, DC/DC converters, motor drivers, solenoid drivers,

and other low-voltage power supply devices, as well as for high-

current switching.

FEATURES

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

• Fast switching speed

• Low collector-to-emitter saturation voltage:

V^CE(sat)= −0.3 V MAX. @I^C= −6 A

QUALITY GRADES

• Standard

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices”

(Document No. C11531E) published by NEC Corporation to know

the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Conditions

Ratings

−150

−100

−7.0

Unit

Electrode Connection

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

V^CEO

V^EBO

−10

I^D(DC)

PW ≤ 300 µs,

−20

Collector current

I^C(pulse)

duty cycle ≤ 10%

−6.0

Base current

I^B(DC)

P^T

°C

Tc = 25°C

Ta = 25°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^T

1.5

150

T^j

−55 to +150 °C

T^stg

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16120EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1646-Z-E1	RENESAS	获取价格	2SA1646-Z-E1
2SA1646-ZK	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-263AB
2SA1646-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SA1646-ZL	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-263AB
2SA1646-ZL-AZ	RENESAS	获取价格	10A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1646-ZM	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-263AB
2SA1646-ZM-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SA1646-ZM-AZ	RENESAS	获取价格	10A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1647	RENESAS	获取价格	SILICON POWER TRANSISTOR
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