2SA1647M

更新时间： 2024-11-19 23:19:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
6页	162K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-251VAR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1647M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	90 MHz	最大关闭时间（toff）：	1900 ns
最大开启时间（吨）：	300 ns	Base Number Matches：	1

2SA1647M 数据手册

ꢙꢌꢋꢌꢆꢆꢀꢗꢉꢉꢋ

ꢀꢁꢂꢁꢃꢄꢅꢆꢆꢇꢄꢈꢉꢊꢆꢆꢋꢊꢌꢅꢀꢁꢀꢋꢄꢊ

ꢍꢀꢌꢎꢏꢐꢑꢒꢆꢍꢀꢌꢎꢏꢐꢑꢓꢔ

ꢇꢅꢇꢆꢆꢀꢁꢂꢁꢃꢄꢅꢆꢆꢉꢇꢁꢋꢌꢕꢁꢌꢂꢆꢆꢋꢊꢌꢅꢀꢁꢀꢋꢄꢊ

ꢖꢄꢊꢆꢆꢗꢁꢘꢗꢓꢀꢇꢉꢉꢙꢆꢆꢀꢈꢁꢋꢃꢗꢁꢅꢘ

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SA1647 is a mold power transistor developed for high-

speed switching and features a very low collector-to-emitter

saturation voltage.

This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC

converters, motor drivers, solenoid drivers, and other low-voltage

power supply devices, as well as for high-current switching.

FEATURES

• Available for high-current control in small dimension

• Z type is a lead processed product and is deal for mounting a

hybrid IC.

• Low collector saturation voltage:

V^CE(sat)= −0.3 V MAX. (@I^C= −3 A)

• Fast switching speed:

t^f= 0.4 µs MAX. (@I^C= −3 A)

• High DC current gain and excellent linearity

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Parameter

Symbol

Ratings

−150

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Base to emitter voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

V^CBO

V^CEO

−100

−7.0

V^EBO

−5.0

I^C(DC)

−10

I^C(pulse)*

I^B(DC)

ꢐꢝꢅꢂꢇ#ꢁꢗꢅꢈ$ꢁꢆꢆꢅꢂꢇꢘꢁꢆ

ꢋꢊꢈ&ꢚꢞꢅ

ꢒꢊꢈ$ꢁꢝꢝꢅꢂꢇꢁ#

−2.5

ꢎꢊꢈꢐꢄꢘꢇꢇꢅ#

P^T(Tc = 25 °C)

P^T(T^A= 25 °C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

1.0**, 2.0***

150

−55 to +150

T^stg

*: PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

**: Printing board mounted

***: 7.5 mm^ꢒ× 0.7 mm ceramic board mounted

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢇꢈꢉꢁꢊꢈꢀꢋꢌꢍꢎꢏꢐꢑꢒꢓꢔꢀꢕꢔꢔꢈꢖꢒꢆꢗꢈꢅꢗꢘꢇꢘꢁꢆꢙ

ꢀꢚꢇꢅꢈꢛꢃꢜꢝꢘꢞ ꢅꢗꢈꢈ!"#ꢘꢝꢈꢈꢒꢔꢔꢒꢈꢉꢈꢈ$ꢛꢖ%ꢙ

ꢛ#ꢘꢆꢇꢅꢗꢈꢘꢆꢈꢑꢚ"ꢚꢆ

2002

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SA1647M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1647-M	NEC	获取价格	5000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251AA, MP-3, 3 PIN
2SA1647M(0)-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-251
2SA1647M-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-251
2SA1647-M-Z	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252AA
2SA1647M-Z-AZ	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SA1647-Z	RENESAS	获取价格	SILICON POWER TRANSISTOR
2SA1647-Z	NEC	获取价格	SILICON POWER TRANSISTOR
2SA1647-Z-E2	RENESAS	获取价格	2SA1647-Z-E2
2SA1647-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SA1647-ZK	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-252

与2SA1647M相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1647M

2SA1647M 技术参数

2SA1647M 数据手册

与2SA1647M相关器件

与2SA1647M相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1647M

2SA1647M 技术参数

2SA1647M 数据手册

与2SA1647M相关器件

与2SA1647M相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？