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2SA1647-L

更新时间： 2024-11-11 21:22:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	161K
描述
5000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251AA, MP-3, 3 PIN

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2SA1647-L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.43	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	90 MHz	最大关闭时间（toff）：	1900 ns
最大开启时间（吨）：	300 ns	Base Number Matches：	1

2SA1647-L 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SA1647,1647-Z

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)

The 2SA1647 is a mold power transistor developed for high-

speed switching and features a very low collector-to-emitter

saturation voltage.

2.3 0.2

0.5 0.1

6.5 0.2

5.0 0.2

This transistor is ideal for use in switching regulators, DC/DC

converters, motor drivers, solenoid drivers, and other low-voltage

power supply devices, as well as for high-current switching.

FEATURES

• Available for high-current control in small dimension

• Z type is a lead processed product and is deal for mounting a

hybrid IC.

1.1 0.2

0.5 ⁺−0⁰.^.1²

0.5 ⁺−⁰0^..²1

• Low collector saturation voltage:

V^CE(sat)1= −0.3 V MAX. (IC = −3.0 A)

• Fast switching speed:

2.3 2.3

t^f= 0.4 µs MAX. (IC = −3.0 A)

• High DC current gain and excellent linearity

TO-251 (MP-3)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

6.5 0.2

5.0 0.2

2.3 0.2

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Base to emitter voltage

Collector current (DC)

Symbol

VCBO

Ratings

−150

Unit

0.5 0.1

VCEO

−100

VEBO

−7.0

IC(DC)

−5.0

0.9

0.8

MAX. MAX.

1.1 0.2

Note 1

Collector current (pulse)

Base current (DC)

IC(pulse)

IB(DC)

−10

2.3 2.3

0.8

−2.5

Total power dissipation (Tc = 25°C)

Total power dissipation (TA = 25°C)

Junction temperature

°C

TO-252 (MP-3Z)

1.0^{Note 2}, 2.0^{Note 3}

150

ELECTRODE CONNECTION

Storage temperature

Tstg

−55 to +150

1. Base

2. Collector

3. Emitter

Notes 1. PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

2. Printing board mounted

3. 7.5 mm²× 0.7 mm ceramic board mounted

4. Collector Fin

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D14839EJ4V0DS00 (4th edition)

Date Published August 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark shows major revised points.

2002

12 3 4 5

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与2SA1647-L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1647-L-Z	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252AA
2SA1647M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-251VAR
2SA1647-M	NEC	获取价格	5000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251AA, MP-3, 3 PIN
2SA1647M(0)-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-251
2SA1647M-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,5A I(C),TO-251
2SA1647-M-Z	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252AA
2SA1647M-Z-AZ	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SA1647-Z	RENESAS	获取价格	SILICON POWER TRANSISTOR
2SA1647-Z	NEC	获取价格	SILICON POWER TRANSISTOR
2SA1647-Z-E2	RENESAS	获取价格	2SA1647-Z-E2

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