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2SA1626

更新时间: 2024-11-14 22:52:35
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日电电子 - NEC 晶体开关放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 134K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR(general purpose amplifier and high speed switching)

2SA1626 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.79
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PSIP-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHz最大关闭时间(toff):2700 ns
最大开启时间(吨):500 nsBase Number Matches:1

2SA1626 数据手册

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