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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.5 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 2700 ns | 最大开启时间（吨）： | 500 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1626-L | RENESAS |
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SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1626L-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,400V V(BR)CEO,2A I(C),TO-92VAR |
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| 2SA1626L-AZ | NEC |
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暂无描述 |
|
| 2SA1626L-T-AZ | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,400V V(BR)CEO,2A I(C),TO-92VAR |
|
| 2SA1627 | NEC |
获取价格 |
PNP SILICON TRANSISTOR(general purpose amplifier and high speed switching) |
|
| 2SA1627 | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SA1627 | RENESAS |
获取价格 |
1000mA, 600V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SA1627A | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SA1627A_12 | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SA1627A_15 | UTC |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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