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2SA1585S

更新时间： 2024-01-11 04:27:52

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描述
TRANSISTOR (PNP)

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2SA1585S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-72
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	240 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1585S 数据手册

RoHS

2SA1585S

2SA1585S TRANSISTOR (PNP)

TO-92S

1. EMITTER

FEATURES

Power dissipation

2. COLLECTOR

3. BASE

P_D: 0.4W (Tamb=25℃)

Collector current

I _CM: -2A

Collector-base voltage

_(BR)CBO: -20V

123

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= -50µA , I_E=0

MIN

-20

-6

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -1 mA , I_B=0

I_E=- 50µA, I_C=0

V_CB=-20V , I_E=0

V_EB= -5V , I_C=0

V_CE=-2 V, I_C= -0.1A

-0.1

390

-0.5

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

h_FE

120

200

Collector-emitter saturation voltage

V_CEsat

I_C= -2A, I_B=-0.1A

V_CE=-2V, I_C=-0.5A

F=100MHz

Transition frequency

MHz

f_T

CLASSIFICATION OF h_FE

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Rank

Range

120-170

180-390

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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