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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1424-T1B | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SA1425 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SA1425_07 | TOSHIBA |
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Power Amplifier Applications Driver-Stage Amplifier Applications |
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| 2SA1425_10 | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Amplifier Applications Driver-Stage Amplifier Applications |
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| 2SA1425O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SC-71 |
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| 2SA1425-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7D101A, 3 PIN, BIP General P |
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| 2SA1425-O(TPF2) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,120V V(BR)CEO,800MA I(C),SC-71 |
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| 2SA1425Y | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SC-71 |
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| 2SA1425-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7D101A, 3 PIN, BIP General P |
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| 2SA1425-Y(TPF2,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,120V V(BR)CEO,800MA I(C),SC-71 |
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