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2SA1429O

更新时间: 2024-01-12 20:04:25
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 128K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-71

2SA1429O 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.79
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):80 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

2SA1429O 数据手册

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2SA1429-O TOSHIBA TRANSISTOR 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7D101A, 3 PIN, BIP General P

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2SA1429Y ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-71

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