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2SA1380F-SA

更新时间： 2024-01-17 12:46:30

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	69K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SA1380F-SA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.29
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1380F-SA 数据手册

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与2SA1380F-SA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1380F-YA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1380-LT	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1380-SA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1380-YA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381	SANYO	High-Definition CRT Display, Video Output	获取价格
2SA1381	FAIRCHILD	PNP Epitaxial Silicon Transistor	获取价格

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