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2SA1313OTE85L

更新时间： 2024-11-29 20:50:11

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	187K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1313OTE85L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.72
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

2SA1313OTE85L 数据手册

2SA1313

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

2SA1313

Audio Frequency Low Power Amplifier Applications

Unit: mm

Driver Stage Amplifier Applications

Switching Applications

•

Excellent h

linearity: h

= 25 (min)

FE (2)

at V

= −6 V, I = −400 mA

•

High voltage: V

= −50 V (min)

CEO

Complementary to 2SC3325

Small package

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−50

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−5

JEDEC

JEITA

TO-236MOD

−500

−50

°C

SC-59

Base current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

200

TOSHIBA

2-3F1A

150

Weight: 0.012 g (typ.)

stg

−55~150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Marking

2007-11-01

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1313OTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SA1313TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SA1313TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SA1313Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23
2SA1313-Y	TOSHIBA	获取价格	Audio Frequency Low Power Amplifier Applications
2SA1313-Y(T5LCK,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1313-Y(T5LKEHIF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1313-Y(T5LMATHF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1313-Y(T5LNSEIF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1313-Y(T5LSUZUF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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