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2SA1266

更新时间: 2024-01-02 09:44:34
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1页 44K
描述
SILICON PNP TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE

2SA1266 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.8
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.15 A
基于收集器的最大容量:7 pF集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.625 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):80 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

2SA1266 数据手册

  

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