5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 140 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1265NO | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SA1265N-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1265NR | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SA1265N-R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SA1266 | KEC |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE |
|
| 2SA1266 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
|
| 2SA1266-AH | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
|
| 2SA1266GR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SA1266L | KEC |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE |
|
| 2SA1266O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92 |
|
共享储能电站：数据驱动与政策引领下的黄金机遇
US1M数据手册解读：产品特性、替换型号推荐
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
