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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.51 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 7 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1255_07 | TOSHIBA |
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High Voltage Switching Applications |
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| 2SA1255O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SA1255-O(TE85L,F) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SA1255OTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SA1255OTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SA1255TE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SA1255Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SA1255-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, 2-3F1A, SC-59, TO-236MO |
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| 2SA1255-Y(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,200V V(BR)CEO,50A I(C),TO-236AB |
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| 2SA1255YTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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