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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.75 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 7 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1255Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SA1255-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, 2-3F1A, SC-59, TO-236MO |
|
| 2SA1255-Y(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,200V V(BR)CEO,50A I(C),TO-236AB |
|
| 2SA1255YTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SA1256 | KEXIN |
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PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors |
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| 2SA1256 | TYSEMI |
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High fT (230MHz typ), and small Cre (1.1pF typ). Small NF (2.5dB typ). |
|
| 2SA1256 | SANYO |
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High-Frequency Amp Applications |
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| 2SA1256_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SA1256-3 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236 |
|
| 2SA1256-4 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236 |
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