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2SA1255O

更新时间: 2024-01-25 08:13:46
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其他 - ETC 晶体晶体管
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5页 196K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB

2SA1255O 技术参数

生命周期:Lifetime Buy零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.49
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:7 pF集电极-发射极最大电压:200 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

2SA1255O 数据手册

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