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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1162GT1/D | ETC | General Purpose Amplifier Transistors |
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| 2SA1162-HF_15 | KEXIN | PNP Transistors |
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| 2SA1162O | MCC | 150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| 2SA1162-O | TOSHIBA | TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, S-MINI, 2-3F1A, SC-59, |
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| 2SA1162-O | KEXIN | PNP Transistors |
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| 2SA1162-O | MCC | PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor |
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| 2SA1162-O(F) | TOSHIBA | TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-23 |
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| 2SA1162O(SOT-23) | CJ | Transistor |
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| 2SA1162-O(T5LTKR,F | TOSHIBA | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1162-O(TE85L,F) | TOSHIBA | TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-23 |
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| 2SA1162-O-HF | KEXIN | PNP Transistors |
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| 2SA1162OTE85L | TOSHIBA | TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SA1162OTE85R | TOSHIBA | TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SA1162-O-TP | MCC | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C |
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| 2SA1162-O-TP-HF | MCC | 暂无描述 |
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| 2SA1162S-Y,LF(D | TOSHIBA | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SA1162S-Y-LF | TOSHIBA | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) |
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| 2SA1162TE85R | TOSHIBA | TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SA1162Y | MCC | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| 2SA1162-Y | MCC | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI |
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