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2SA1162-Y

更新时间： 2024-02-09 03:01:44

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN

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2SA1162-Y 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
基于收集器的最大容量：	7 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	0.15 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

2SA1162-Y 数据手册

2SA1162

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SA1162-O

2SA1162-Y

2SA1162-GR

Micro Commercial Components

Features

•

Capable of 0.15Watts of Power Dissipation.

Collector-current: 0.15A

Collector-base Voltage: -50V

Operating and storage junction temperature range: -55R to +150R

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

PNP Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=-50Vdc, I_E=0)

-50

-5

---

Vdc

---

Vdc

---

-0.1

uAdc

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-5.0Vdc, I_C=0)

---

DIMENSIONS

INCHES

MIN

ON CHARACTERISTICS

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

h_FE

DC Current Gain

---

400

-0.3

---

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

(I_C=-2.0mAdc, V_CE=-6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-100mAdc, I_B=-10mAdc)

V_CE(sat)

Vdc

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Transistor Frequency

---

MHz

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-10Vdcz)

Collector Output Capacitance

(V_CB=-10Vdc, I_E=0, f=1MHz)

Noise Figure

(V_CE=-6Vdc, I_C=0.1mA, f=1KHz, R_g=10K=)

.085

.37

Cob

Suggested Solder

Pad Layout

CLASSIFICATION OF H^{FE (1)}

.031

.800

Rank

Range

Marking

70-140

120-240

200-400

.035

.900

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: 5

2008/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1162-Y(5LKENW,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1162-Y(T5LBSHAF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1162-Y(T5LKEHIF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1162-Y(T5LMAA,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1162-Y(T5RAL,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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