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2SA1162YTE85R

更新时间： 2024-02-14 13:06:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 167K
描述
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1162YTE85R 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.24
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.15 A
基于收集器的最大容量：7 pF集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：0.15 W
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

2SA1162YTE85R 数据手册

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2SA1162  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1162  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
• High voltage and high current:  
V = −50 V, I = −150 mA (max)  
CEO C  
• Excellent h  
linearity: h  
(I = −0.1 mA)/h  
C
(I = −2 mA)  
FE C  
FE  
FE  
= 0.95 (typ.)  
• High h  
h
= 70~400  
FE: FE  
• Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
• Complementary to 2SC2712  
• Small package  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
−5  
V
I
−150  
−30  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150  
C
T
j
125  
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
T
stg  
−55~125  
SC-59  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
2-3F1A  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= −50 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
−0.1  
−0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
(Note)  
DC current gain  
V
= −6 V, I = −2 mA  
70  
⎯
400  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= −100 mA, I = −10 mA  
⎯
80  
⎯
−0.1  
⎯
−0.3  
⎯
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= −10 V, I = −1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
4
7
ob  
E
= −6 V, I = −0.1 mA, f = 1 kHz,  
C
Noise figure  
NF  
⎯
1.0  
10  
dB  
Rg = 10 kΩ,  
Note: h classification O (O): 70~140, Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400, ( ) marking symbol  
FE  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与2SA1162YTE85R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1162-YTE85R TOSHIBA

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 		暂无描述
2SA1162-Y-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SA1162-Y-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1163 NJSEMI

获取价格

 		New Jersey Semi-Conductor Products,
2SA1163 TYSEMI

获取价格

 		nullHigh voltage. Small package. High hFE. Low noise.
2SA1163 KEXIN

获取价格

 		Silicon PNP Epitaxial Type
2SA1163 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPUFIER APPLICATIONS)
2SA1163_07 TOSHIBA

获取价格

 		Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
2SA1163_15 KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SA1163BL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AB

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