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2SA1162O(SOT-23)

更新时间： 2024-02-15 03:05:19
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ /
页数 文件大小 规格书
1页 1261K
描述
Transistor

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2SA1162O(SOT-23) 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Base Number Matches：1

2SA1162O(SOT-23) 数据手册

  
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors  
SOT-23  
2SA1162 TRANSISTOR (PNP)  
3
FEATURES  
. Low noise : NF= 1dB(Typ.),10dB (Max.)  
1
2
. Complementary to 2SC2712.  
. Small Package.  
1. BASE  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
MARKING: SO , SY , SG  
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Value  
-50  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Current -Continuous  
-50  
V
-5  
V
-150  
150  
mA  
mW  
℃
PD  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
125  
Tstg  
-55-125  
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol Test conditions  
V(BR)CBO IC=-100u A,IE=0  
V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0  
V(BR)EBO IE=-100 u A,IC=0  
Min  
-50  
-50  
-5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V
V
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCB=-50V,IE=0  
-0.1  
-0.1  
400  
-0.3  
u A  
u A  
Emitter cut-off current  
VEB=-5V,IC=0  
DC current gain  
VCE=-6V,IC=-2mA  
IC=-100mA,IB=-10mA  
VCE=-10V,IC=-1mA  
VCB=-10V,IE=0,f=1MHz  
70  
80  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat)  
fT  
V
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
7
VCE=-6V,Ic=0.1mA,  
Noise figure  
NF  
10  
dB  
f=1KHZ,Rg=10KΩ  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
O
Y
GR(G)  
200-400  
Range  
70-140  
120-240  
A,May,2011  
1

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