是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.37 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC): | 0.15 A |
基于收集器的最大容量: | 7 pF | 集电极-发射极最大电压: | 50 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 70 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
极性/信道类型: | PNP | 功耗环境最大值: | 0.15 W |
最大功率耗散 (Abs): | 0.15 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 80 MHz |
VCEsat-Max: | 0.3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SA1162-O(F) | TOSHIBA | TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-23 |
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2SA1162O(SOT-23) | JCST | Transistor |
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2SA1162-O(T5LTKR,F | TOSHIBA | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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2SA1162-O(TE85L,F) | TOSHIBA | TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,150MA I(C),SOT-23 |
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2SA1162-O-HF | KEXIN | PNP Transistors |
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2SA1162OTE85L | TOSHIBA | TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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