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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1162-GR,LF(B
2SA1162-GR,LF(B PDF预览

2SA1162-GR,LF(B

更新时间： 2024-01-07 04:48:37
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 104K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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2SA1162-GR,LF(B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

2SA1162-GR,LF(B 数据手册

 浏览型号2SA1162-GR,LF(B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1162-GR,LF(B的Datasheet PDF文件第3页 
                                                        
                                                        
                                                                     
                                                                     
2SA1162  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1162  
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
·
·
High voltage and high current: V  
= −50 V, I = −150 mA (max)  
C
CEO  
(I = −0.1 mA)/h  
Excellent h  
FE  
linearity: h  
(I = −2 mA)  
FE  
C
FE  
C
= 0.95 (typ.)  
·
·
·
·
High h  
h
= 70~400  
FE: FE  
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SC2712  
Small package  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
-50  
-50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-150  
-30  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150  
C
SC-59  
T
125  
j
TOSHIBA  
2-3F1A  
T
-55~125  
stg  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= -50 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
¾
¾
¾
¾
-0.1  
-0.1  
mA  
mA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= -5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
DC current gain  
V
= -6 V, I = -2 mA  
70  
¾
400  
CE  
C
(Note)  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= -100 mA, I = -10 mA  
¾
80  
¾
-0.1  
¾
-0.3  
¾
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= -10 V, I = -1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= -10 V, I = 0, f = 1 MHz  
4
7
ob  
E
= -6 V, I = -0.1 mA, f = 1 kHz,  
C
Noise figure  
NF  
¾
1.0  
10  
dB  
Rg = 10 kW,  
Note: h classification O (O): 70~140, Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400, ( ) marking symbol  
FE  
Marking  
1
2003-03-27  
123

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