Datasheet > 2SA1020-O-BP

2SA1020-O-BP

更新时间： 2024-11-18 14:32:11

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
2页	381K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1020-O-BP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SA1020-O-BP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SA1020-O

2SA1020-Y

Micro Commercial Components

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

•

Collector of 0.9Watts of Power Dissipation.

Collector-current -2.0A

Operating and storage junction temperature range: -55R to +150R

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

PNP

•

Plastic-Encapsulate

Transistor

•

Moisture Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

TO-92MOD

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-10mAdc, I_B=0)

-50

---

Vdc

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-100mAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=-50Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

-50

-5.0

---

Vdc

---

Vdc

-1.0

uAdc

I_EBO

---

(V_EB=-5.0Vdc, I_C=0)

h_FE(1)

DC Current Gain

(I_C=-0.5Adc, V_CE=-2.0Vdc)

DC Current Gain

(I_C=-1.5Adc, V_CE=-2.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-1Adc, I_B=-50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-1.0Adc, I_B=-50mA)

---

240

---

h_FE(2)

---

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.5

-1.2

Vdc

f_T

Transistor Frequency

100(Typ)

MHz

(I_C=-500mAdc, V_CE=-2.0Vdc,)

C_ob

Collector output capacitance

(I_E=0, V_CB=-10Vdc,f=1MHz)

40(Typ)

STRAIGHT LEAD BENT LEAD

BULK PACK AMMO PACK

t_on

Turn-0n time

(I_B1=-I_B2=-0.05, V_CC=-30Vdc,I_C=-1Adc)

Storage time

(I_B1=-I_B2=-0.05, V_CC=-30Vdc,I_C=-1Adc)

0.1(Typ)

1.0(Typ)

0.1(Typ)

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.228

.331

.016

MIN

Fall time

DIM

MAX

NOTE

6.20

8.80

0.60

Straight Lead

(I_B1=-I_B2=-0.05, V_CC=-30Vdc,I_C=-1Adc)

244

5.80

8.40

0.40

2.90

346

024

122

CLASSIFICATION OF HFE (1)

.114

3.10

Rank

Range

Bent Lead

.173

.220

4.40

5.60

1.50

2.80

70-140

120-240

Straight Lead

Bent Lead

.059

.086

.110

2.20

13.80

0.90

4.00

4.70

-----

.543

559

14.20

1.10

---

.035

.157

.185

----

043

-----

201

063

020

080

5.10

1.60

.016

.068

0.40

1.73

0.50

2.03

* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website

of product packaging for details.

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: C

2013/01/01

中文翻译

下载PDF

与2SA1020-O-BP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1020O-G	TOSHIBA	获取价格	Transistor
2SA1020OGP	CHENMKO	获取价格	Transistor,
2SA1020-O-T9N-B	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1020-O-T9N-K	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1020-O-T9N-R	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1020PT	CHENMKO	获取价格	2SA1020PT
2SA1020PT-O	CHENMKO	获取价格	Transistor,
2SA1020RLRA	TOSHIBA	获取价格	One Watt High Current PNP Transistor VOLTAGE AND CURRENT ARE NEGATIVE FOR PNP TRANSISTORS
2SA1020RLRAG	TOSHIBA	获取价格	One Watt High Current PNP Transistor VOLTAGE AND CURRENT ARE NEGATIVE FOR PNP TRANSISTORS
2SA1020RLRAG	ONSEMI	获取价格	1.0 W High Current PNP Bipolar Transistor

与2SA1020-O-BP相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1020-O-BP

2SA1020-O-BP 技术参数

2SA1020-O-BP 数据手册

与2SA1020-O-BP相关器件

与2SA1020-O-BP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1020-O-BP

2SA1020-O-BP 技术参数

2SA1020-O-BP 数据手册

与2SA1020-O-BP相关器件

与2SA1020-O-BP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？