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2SA1020-O-BP

更新时间： 2024-02-15 10:18:19

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美微科 - MCC		/
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2页	381K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SA1020-O-BP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SA1020-O-BP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SA1020-O

2SA1020-Y

Micro Commercial Components

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

•

Collector of 0.9Watts of Power Dissipation.

Collector-current -2.0A

Operating and storage junction temperature range: -55R to +150R

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

PNP

•

Plastic-Encapsulate

Transistor

•

Moisture Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

TO-92MOD

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-10mAdc, I_B=0)

-50

---

Vdc

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-100mAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=-50Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

-50

-5.0

---

Vdc

---

Vdc

-1.0

uAdc

I_EBO

---

(V_EB=-5.0Vdc, I_C=0)

h_FE(1)

DC Current Gain

(I_C=-0.5Adc, V_CE=-2.0Vdc)

DC Current Gain

(I_C=-1.5Adc, V_CE=-2.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-1Adc, I_B=-50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-1.0Adc, I_B=-50mA)

---

240

---

h_FE(2)

---

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.5

-1.2

Vdc

f_T

Transistor Frequency

100(Typ)

MHz

(I_C=-500mAdc, V_CE=-2.0Vdc,)

C_ob

Collector output capacitance

(I_E=0, V_CB=-10Vdc,f=1MHz)

40(Typ)

STRAIGHT LEAD BENT LEAD

BULK PACK AMMO PACK

t_on

Turn-0n time

(I_B1=-I_B2=-0.05, V_CC=-30Vdc,I_C=-1Adc)

Storage time

(I_B1=-I_B2=-0.05, V_CC=-30Vdc,I_C=-1Adc)

0.1(Typ)

1.0(Typ)

0.1(Typ)

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.228

.331

.016

MIN

Fall time

DIM

MAX

NOTE

6.20

8.80

0.60

Straight Lead

(I_B1=-I_B2=-0.05, V_CC=-30Vdc,I_C=-1Adc)

244

5.80

8.40

0.40

2.90

346

024

122

CLASSIFICATION OF HFE (1)

.114

3.10

Rank

Range

Bent Lead

.173

.220

4.40

5.60

1.50

2.80

70-140

120-240

Straight Lead

Bent Lead

.059

.086

.110

2.20

13.80

0.90

4.00

4.70

-----

.543

559

14.20

1.10

---

.035

.157

.185

----

043

-----

201

063

020

080

5.10

1.60

.016

.068

0.40

1.73

0.50

2.03

* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website

of product packaging for details.

www.mccsemi.com

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Revision: C

2013/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SA1020-O-T9N-K	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1020-O-T9N-R	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1020PT	CHENMKO	获取价格	2SA1020PT
2SA1020PT-O	CHENMKO	获取价格	Transistor,
2SA1020RLRA	TOSHIBA	获取价格	One Watt High Current PNP Transistor VOLTAGE AND CURRENT ARE NEGATIVE FOR PNP TRANSISTORS
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