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2SA1020-Y-AP

更新时间： 2024-02-03 12:30:10

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
2页	381K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SA1020-Y-AP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2SA1020-Y-AP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SA1020-O

2SA1020-Y

Micro Commercial Components

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

•

Collector of 0.9Watts of Power Dissipation.

Collector-current -2.0A

Operating and storage junction temperature range: -55R to +150R

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

PNP

•

Plastic-Encapsulate

Transistor

•

Moisture Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

TO-92MOD

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-10mAdc, I_B=0)

-50

---

Vdc

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-100mAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=-50Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

-50

-5.0

---

Vdc

---

Vdc

-1.0

uAdc

I_EBO

---

(V_EB=-5.0Vdc, I_C=0)

h_FE(1)

DC Current Gain

(I_C=-0.5Adc, V_CE=-2.0Vdc)

DC Current Gain

(I_C=-1.5Adc, V_CE=-2.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-1Adc, I_B=-50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-1.0Adc, I_B=-50mA)

---

240

---

h_FE(2)

---

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.5

-1.2

Vdc

f_T

Transistor Frequency

100(Typ)

MHz

(I_C=-500mAdc, V_CE=-2.0Vdc,)

C_ob

Collector output capacitance

(I_E=0, V_CB=-10Vdc,f=1MHz)

40(Typ)

STRAIGHT LEAD BENT LEAD

BULK PACK AMMO PACK

t_on

Turn-0n time

(I_B1=-I_B2=-0.05, V_CC=-30Vdc,I_C=-1Adc)

Storage time

(I_B1=-I_B2=-0.05, V_CC=-30Vdc,I_C=-1Adc)

0.1(Typ)

1.0(Typ)

0.1(Typ)

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.228

.331

.016

MIN

Fall time

DIM

MAX

NOTE

6.20

8.80

0.60

Straight Lead

(I_B1=-I_B2=-0.05, V_CC=-30Vdc,I_C=-1Adc)

244

5.80

8.40

0.40

2.90

346

024

122

CLASSIFICATION OF HFE (1)

.114

3.10

Rank

Range

Bent Lead

.173

.220

4.40

5.60

1.50

2.80

70-140

120-240

Straight Lead

Bent Lead

.059

.086

.110

2.20

13.80

0.90

4.00

4.70

-----

.543

559

14.20

1.10

---

.035

.157

.185

----

043

-----

201

063

020

080

5.10

1.60

.016

.068

0.40

1.73

0.50

2.03

* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website

of product packaging for details.

www.mccsemi.com

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Revision: C

2013/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1020-Y-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1020YGP	CHENMKO	获取价格	Transistor,
2SA1020-Y-T9N-B	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1020-Y-T9N-K	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1020-Y-T9N-R	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SA1021	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1021	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1021	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1021	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 50V 2A 3-Pin TO-92 T/R
2SA1022	KEXIN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Type

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