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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 250 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1006BR | ISC |
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Transistor |
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| 2SA1006BR | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SA1006P | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SA1006P | ISC |
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Transistor |
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| 2SA1006Q | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SA1006R | ISC |
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Transistor |
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| 2SA1007 | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SA1007 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 250V 1.5A |
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| 2SA1007AP | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SA1007AQ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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