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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1007AP | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SA1007AQ | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SA1007AS | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SA1007P | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SA1008 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1008 | NEC |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SA1008 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1008 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1008 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| 2SA1008(3) | RENESAS |
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2SA1008(3) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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