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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 180 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1006Q | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| 2SA1006R | ISC |
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Transistor |
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| 2SA1007 | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SA1007 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 250V 1.5A |
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| 2SA1007AP | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SA1007AQ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SA1007AS | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SA1007P | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SA1008 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1008 | NEC |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTOR |
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