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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 130 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1008 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1008 | NEC |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SA1008 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1008 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1008 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| 2SA1008(3) | RENESAS |
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2SA1008(3) |
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| 2SA1008(4) | RENESAS |
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2SA1008(4) |
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| 2SA1008-AZ | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SA1008K | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB |
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| 2SA1008-K | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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