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2SA1009A-J-AZ

更新时间： 2024-01-30 03:32:00

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	179K
描述
2A, 400V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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2SA1009A-J-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.17
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1009A-J-AZ 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1009AK	NEC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SA1009A-K	NEC	暂无描述	获取价格
2SA1009A-K-AZ	RENESAS	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
2SA1009A-K-AZ	NEC	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
2SA1009AL	NEC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 400V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SA1009A-L	NEC	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格

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