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2SA1006AQ

更新时间: 2024-11-09 13:04:07
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日电电子 - NEC 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 197K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

2SA1006AQ 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:200 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:25 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):80 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SA1006AQ 数据手册

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