Datasheet > 2SA0921

2SA0921

更新时间： 2024-11-22 21:55:19

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
3页	72K
描述
For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA0921 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA0921 数据手册

Transistors

2SA0921 (2SA921)

Silicon PNP epitaxial planar type

For high breakdown voltage low-noise amplification

Complementary to 2SC1980

Unit: mm

5.0 0.2

4.0 0.2

■ Features

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Low noise voltage NV

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

+0.15

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−120

−5

Unit

0.45

–0.1

+0.6

2.5

–0.2

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

2.5

–0.2

2 3

1: Emitter

2: Collector

3: Base

−20

°C

Peak collector current

I_CP

−50

TO-92-B1 Package

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

250

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−120

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_CE= −5 V, I_C= −2 mA

−100

−1

µA



I_CEO

h_FE

180

700

V_CE(sat)I_C= −20 mA, I_B= −2 mA

− 0.6

f_T

V_CB= −5 V, I_E= 2 mA, f = 200 MHz

200

MHz

Noise voltage

V_CE= −40 V, I_C= −1 mA, G_V= 80 dB

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

150

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

180 to 360

260 to 520

360 to 700

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: January 2003

SJC00007BED

12 3

中文翻译

下载PDF

2SA0921 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE91	NTE	功能相似	Silicon Complementary Transistors General Purpose High Gain Amplifier
2SA921	PANASONIC	功能相似	For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary

与2SA0921相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA0921(2SA921)	ETC	获取价格	2SA0921 (2SA921) - PNP Transistor
2SA0921\|2SA921	ETC	获取价格	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SA0921R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| TO-92
2SA0921S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| TO-92
2SA0963	PANASONIC	获取价格	For low-frequency power amplification
2SA0963(2SA963)	ETC	获取价格	パワーデバイス－パワートランジスタ－その他
2SA0963\|2SA963	ETC	获取价格	Power Device - Power Transistors - Others
2SA0963Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
2SA0963R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
2SA-10	ETC	获取价格	Integrated 2-Axis Hall Sensor

与2SA0921相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA0921

2SA0921 技术参数

2SA0921 数据手册

2SA0921 替代型号

与2SA0921相关器件

与2SA0921相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA0921

2SA0921 技术参数

2SA0921 数据手册

2SA0921 替代型号

与2SA0921相关器件

与2SA0921相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？