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2SA0963Q

更新时间： 2024-01-28 06:42:39

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4页	65K
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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126

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2SA0963Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SA0963Q 数据手册

Power Transistors

2SA0963 (2SA963)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

+0.5

–0.1

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SC2209

7.5

2.9 0.2

120

I Features

•

Large collector power dissipation P_C

Output of 4 W to 5 W can be obtained by a complementary pair with

2SC2209

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

−50

Unit

0.75 0.1

4.6 0.2

0.5 0.1

2.3 0.2

0.5 0.1

1.26 0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

−40

1: Emitter

2: Collector

3: Base

−5

−3

TO-126A Package

I_C

−1.5

Collector power dissipation (T_C= 25°C)

Junction temperature

Storage temperature

P_C

°C

T_j

150

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

−1

Unit

µA

Collector cutoff current

V_CB= −20 V, I_E= 0

V_CE= −10 V, I_B= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

I_CEO

−100

−10

Emitter cutoff current

I_EBO

Collector to base voltage

V_CBO

V_CEO

h_FE

I_C= −1 mA, I_E= 0

−50

−40

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio ^*

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CE= −5 V, I_C= −1 A

I_C= −1.5 A, I_B= −150 mA

I_C= −2 A, I_B= − 0.2 A

220

−1.0

−1.5

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_CB= −5 V, I_E= 0.5 A, f = 200 MHz

V_CB= −5 V, I_E= 0, f = 1 MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

Note) : Rank classification

Rank

h_FE

80 to 160

120 to 220

Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.

12 3 4

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与2SA0963Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA0963R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126
2SA-10	ETC	获取价格	Integrated 2-Axis Hall Sensor
2SA100	ETC	获取价格	Ge PNP Drift
2SA1001	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 250V 1.5A
2SA1002	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 250V 1.5A
2SA1003	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 250V 1.5A
2SA1006	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1006	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1006	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1006	NEC	获取价格	PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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