2PB709BRL

更新时间： 2024-11-30 12:52:55

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	324K
描述
50 V, 200 mA PNP general-purpose transistors

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2PB709BRL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	210
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2PB709BRL 数据手册

2PB709BRL; 2PB709BSL

50 V, 200 mA PNP general-purpose transistors

Rev. 1 — 28 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

NPN complement

JEDEC

2PB709BRL

2PB709BSL

SOT23

TO-236AB

2PD601BRL

2PD601BSL

1.2 Features and benefits

Collector current I_C≤ −200 mA

Two current gain selections

AEC-Q101 qualified

Small SMD plastic package

1.3 Applications

General-purpose switching and amplification

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

−50

collector-emitter voltage

collector current

open base

−200 mA

h_FE

DC current gain

V_CE= −10 V;

I_C= −2 mA

210

460

h_FEgroup R

h_FEgroup S

210

290

340

460

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2PB709BSL	NEXPERIA	获取价格	50 V, 200 mA PNP general-purpose transistorsProduction
2PB709BSL	NXP	获取价格	50 V, 200 mA PNP general-purpose transistors
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2PB710	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236VAR
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