5秒后页面跳转
2PB709Q PDF预览

2PB709Q

更新时间: 2024-10-14 14:49:43
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS /
页数 文件大小 规格书
4页 168K
描述
Transistor,

2PB709Q 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):160
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):80 MHz
Base Number Matches:1

2PB709Q 数据手册

 浏览型号2PB709Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2PB709Q的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2PB709Q的Datasheet PDF文件第4页 

与2PB709Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2PB709R PHILIPS

获取价格

Transistor,
2PB709S PHILIPS

获取价格

Transistor,
2PB709S-TAPE-7 NXP

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2PB710 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236VAR
2PB710A NXP

获取价格

PNP general purpose transistor
2PB710A KEXIN

获取价格

PNP General Purpose Transistor
2PB710A TYSEMI

获取价格

High current (max. 500 mA) Low voltage (max. 50 V).Collector-base voltage VCBO -60 V
2PB710AQ KEXIN

获取价格

PNP General Purpose Transistor
2PB710AQ NXP

获取价格

PNP general purpose transistor
2PB710AQ TYSEMI

获取价格

High current (max. 500 mA) Low voltage (max. 50 V).Collector-base voltage VCBO -60 V