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2PB710A

更新时间: 2024-11-29 22:12:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
PNP general purpose transistor

2PB710A 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.72Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A基于收集器的最大容量:15 pF
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):85JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

2PB710A 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
2PB710A  
PNP general purpose transistor  
1999 May 31  
Product specification  
Supersedes data of 1999 Apr 23  

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