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2N718AE3

更新时间： 2024-11-24 14:49:15

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	222K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, TO-18, 3 PIN

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2N718AE3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-18, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.75
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-206AA
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N718AE3 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/181

DEVICES

LEVELS

JAN

2N718A

2N1613

2N1613L

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Min.

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

7.0

500

Vdc

mAdc

TO-18 (TO-206AA)

2N718A

Total Power Dissipation

@ T_A= +25°C

2N718A

2N1613, L

0.5

0.8

P_T

Total Power Dissipation

@ T_C= +25°C

2N718A

2N1613, L

1.8

3.0

P_T

°C

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_J, T_stg

R_θJC

-65 to +200

Thermal Resistance, Junction-to-Case 2N718A

2N1613, L

°C/W

(1) Derate linearly at 4.57 mW/°C for 2N1613, L and 2.85mW/°C for 2N718A for T_A> +25°C

(2) Derate linearly at 17.2 mW/°C for 2N1613, L and 10.3mW/°C for 2N718A for T_C> +25°C

TO-39 (TO-205AD)

2N1613

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100µAdc

V_(BR)CEO

V_(BR)CER

Vdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100µAdc, R_BE= 10Ω

Collector-Base Cutoff Current

ηAdc

µAdc

_CB= 60Vdc

I_CBO

V_CB= 75Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

TO-5

2N1613L

ηA dc

µAdc

_EB= 5.0Vdc

_EB= 7.0Vdc

I_EBO

T4-LDS-0200 Rev. 1 (110597)

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