2N720A

更新时间： 2024-09-23 07:29:15

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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2N720A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	1.64
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-18	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	30 ns	最大开启时间（吨）：	30 ns
Base Number Matches：	1

2N720A 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 182

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N1893

2N1893S

2N720A

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

V_CER

I_C

All Devices

Units

Vdc

Collector-Base Voltage

120

Vdc

7.0

Vdc

Emitter-Base Voltage

TO-18 (TO-206AA)*

2N720A

100

500

Vdc

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 10 W)

Collector Current

mAdc

2N720A 2N1893, S

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

0.5

1.8

0.8

3.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

srg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol 2N720A 2N1893, S Unit

97 58

⁰C/W

TO-5*

2N1893, 2N1893S

Thermal Resistance, Junction-to-Case

qJC

1) Derate linearly 2.86 mW/⁰C for 2N720A, 4.57 mW/⁰C for 2N1893, S T_A> 25⁰C

2) Derate linearly 10.3 mW/⁰C for 2N720A, 17.2 mW/⁰C for 2N1893, S T_C> 25⁰C

*See appendix A for package

outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 30 mAdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc, R_BE= 10 W

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 120 Vdc

Vdc

V_(BR)

CEO

V_(BR)

CER

100

mAdc

hAdc

I_CBO

V_CB= 90 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 7.0 Vdc

V_EB= 5.0 Vdc

mAdc

hAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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2N720A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N720A	MICROSEMI	功能相似	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
2N720A	STMICROELECTRONICS	功能相似	HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE

与2N720A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N720A_02	STMICROELECTRONICS	获取价格	EPITAXIAL PLANAR NPN
2N720ALEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,
2N720AS	SEMICOA	获取价格	Silicon NPN Transistor
2N721	RAYTHEON	获取价格	Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches
2N721	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors
2N721	NJSEMI	获取价格	SI PNP LO-PWR BJT
2N7218	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
2N7218	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTOR
2N7218D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2N7218DPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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