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2N719

更新时间: 2024-02-21 04:56:48
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 223K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | TO-18

2N719 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):20
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.5 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

2N719 数据手册

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