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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N711A | ETC |
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silicon transistors UHF/VHF power transistors |
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| 2N711B | ETC |
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silicon transistors UHF/VHF power transistors |
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| 2N7142 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N7142E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N7143 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N7143E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N716 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N717 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N717 | RAYTHEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PI |
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| 2N7172-6L | BL Galaxy Electrical |
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N：0.43A, 60V, 1W,P：-0.35A,-60V,1W N+P Channel |
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