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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7143E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
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| 2N716 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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| 2N717 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N717 | RAYTHEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, TO-18, 3 PI |
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| 2N7172-6L | BL Galaxy Electrical |
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N：0.43A, 60V, 1W,P：-0.35A,-60V,1W N+P Channel |
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| 2N7172DW | BL Galaxy Electrical |
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N：0.3A, 60V, 0.2W,P：-0.2A,-60V,0.2W N+P Chann |
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| 2N717LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, |
|
| 2N718 | MICRO-ELECTRONICS |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N718 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN TRANSISTOR SILICON |
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| 2N718A | BOCA |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (NPN SILICON) |
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