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2N7002/T3

更新时间： 2024-02-20 22:11:43

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	153K
描述
TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

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2N7002/T3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	10 pF	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7002/T3 数据手册

2N7002

NXP Semiconductors

60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET

7. Characteristics

Table 7.

Symbol

Characteristics

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Static characteristics

V_(BR)DSSdrain-source

breakdown voltage

I_D= 10 µA; V_GS= 0 V; T_j= 25 °C

I_D= 10 µA; V_GS= 0 V; T_j= -55 °C

V_GSth

gate-source threshold I_D= 0.25 mA; V_DS= V_GS; T_j= 25 °C;

2.5

voltage

see Figure 9; see Figure 10

I_D= 0.25 mA; V_DS= V_GS; T_j= 150 °C;

see Figure 9; see Figure 10

0.6

I_D= 0.25 mA; V_DS= V_GS; T_j= -55 °C;

see Figure 9; see Figure 10

2.75

I_DSS

drain leakage current

gate leakage current

V_DS= 48 V; V_GS= 0 V; T_j= 25 °C

V_DS= 48 V; V_GS= 0 V; T_j= 150 °C

V_GS= 15 V; V_DS= 0 V; T_j= 25 °C

V_GS= -15 V; V_DS= 0 V; T_j= 25 °C

0.01

µA

Ω

100

I_GSS

2.8

R_DSon

drain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 500 mA; T_j= 25 °C;

see Figure 6; see Figure 8

V_GS= 10 V; I_D= 500 mA; T_j= 150 °C;

see Figure 6; see Figure 8

9.25

5.3

Ω

V_GS= 4.5 V; I_D= 75 mA; T_j= 25 °C; see

3.8

Figure 6; see Figure 8

Dynamic characteristics

C_iss

C_oss

C_rss

input capacitance

V_DS= 10 V; f = 1 MHz; V_GS= 0 V;

T_j= 25 °C

output capacitance

6.8

3.5

reverse transfer

capacitance

t_on

t_off

turn-on time

turn-off time

V_GS= 10 V; V_DS= 50 V; R_L= 250 Ω;

R_G(ext)= 50 Ω; R_GS= 50 Ω

2.5

Source-drain diode

V_SD

source-drain voltage

I_S= 300 mA; V_GS= 0 V; T_j= 25 °C; see

Figure 11

0.85

1.5

Q_r

t_rr

recovered charge

V_GS= 0 V; I_S= 300 mA;

dI_S/dt = -100 A/µs

reverse recovery time

2N7002

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Product data sheet

Rev. 7 — 8 September 2011

5 of 13

1 2 3 456 7 8...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002_	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002_04	SUPERTEX	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002_07	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7002_07	PANJIT	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	获取价格
2N7002_08	BL Galaxy Electrical	Small Signal MOSFET Transistor	获取价格
2N7002_09	PANJIT	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	获取价格

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