Datasheet > 2N7002/T3

2N7002/T3

更新时间： 2024-02-28 03:13:46

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	153K
描述
TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N7002/T3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	10 pF	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7002/T3 数据手册

2N7002

NXP Semiconductors

60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET

3. Ordering information

Table 3.

Ordering information

Type number

Package

Name

Description

Version

2N7002

TO-236AB

plastic surface-mounted package; 3 leads

SOT23

4. Marking

Table 4.

Marking codes

Type number

2N7002

Marking code^[1]

12%

[1] % = placeholder for manufacturing site code

5. Limiting values

Table 5.

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol

V_DS

Parameter

Conditions

Min

Max

Unit

drain-source voltage

drain-gate voltage

gate-source voltage

peak gate-source voltage

drain current

25 °C ≤ T_j≤ 150 °C

V_DGR

V_GS

25 °C ≤ T_j≤ 150 °C; R_GS= 20 kΩ

-30

-40

V_GSM

I_D

pulsed; t_p≤ 50 µs; δ = 0.25

V_GS= 10 V; T_sp= 25 °C; see Figure 1;

see Figure 3

300

V_GS= 10 V; T_sp= 100 °C; see Figure 1

190

1.2

I_DM

peak drain current

pulsed; t_p≤ 10 µs; T_sp= 25 °C; see

Figure 3

P_tot

T_j

total power dissipation

junction temperature

storage temperature

T_sp= 25 °C; see Figure 2

0.83

150

-65

°C

T_stg

Source-drain diode

I_S

source current

peak source current

T_sp= 25 °C

300

1.2

I_SM

pulsed; t_p≤ 10 µs; T_sp= 25 °C

2N7002

All information provided in this document is subject to legal disclaimers.

Product data sheet

Rev. 7 — 8 September 2011

2 of 13

123 4 5 6 7...13

下载PDF

与2N7002/T3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002_	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002_04	SUPERTEX	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2N7002_07	SUPERTEX	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
2N7002_07	PANJIT	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	获取价格
2N7002_08	BL Galaxy Electrical	Small Signal MOSFET Transistor	获取价格
2N7002_09	PANJIT	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	获取价格